基板处理装置和基板处理方法

摘要

本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

主权项

一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室；配置在所述腔室内，将基板保持在主面上的第一电极；与所述第一电极相对地配置在所述腔室内的第二电极；对所述第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和脉冲电压施加部，其与所述RF电压叠加地向所述第一电极施加在每1个脉冲内电压与时间的经过对应地下降的脉冲电压，所述脉冲电压施加部包括：输出与时间的经过对应地周期性下降的电压的电源；和以规定的间隔向所述第一电极施加从所述电源输出的电压的第一切换部。