| 发明名称 | 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法 | ||
| 摘要 | 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱。制作过程简单、重复性好。可对传统相关产业产生示范作用。 | ||
| 申请公布号 | CN103132077A | 申请公布日期 | 2013.06.05 |
| 申请号 | CN201310074218.7 | 申请日期 | 2013.03.08 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 陈松岩;亓东锋;刘翰辉;李成;赖虹凯 |
| 分类号 | C23F1/02(2006.01)I;C30B33/08(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，其特征在于包括以下步骤：1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱。 | ||
| 地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 | ||