发明名称 | 具静电放电防护之高压装置 | ||
摘要 | 本发明系有关于一种具静电放电防护之高压装置,其由一第一N型掺杂区位于一高压P型井中,扩散区形成于第一N型掺杂区的下方,一低压N型井形成于扩散区之下方,一第二N型掺杂区形成于扩散区之一侧,一第一导体层形成于高压P型井之上方,并位于第二N型掺杂区与扩散区之间,一第三N型掺杂区形成于扩散区之另一侧,一第二导体层形成于高压P型井之上方,并位于第三N型掺杂区与扩散区之间,一金属矽化物层形成于高压P型井之上方,于第一N型掺杂区之上方,一金属矽化物层之边缘分别距离第一导体层与第二导体层0~0.2um。如此,提高热的承受能力、减轻克尔克效应以及提高静电放电防护的能力。 | ||
申请公布号 | TWI397986 | 申请公布日期 | 2013.06.01 |
申请号 | TW097151601 | 申请日期 | 2008.12.31 |
申请人 | 矽创电子股份有限公司 | 发明人 | 黄致远 |
分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
代理机构 | 代理人 | 蔡秀玫 新北市土城区金城路2段211号4楼A1室 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹北市台元街20号6楼之2 TW 6F-2, NO.20, TAI YUEN ST., JHUPEI CITY 302, HSINCHU COUNTY, TAIWAN |