发明名称 具静电放电防护之高压装置
摘要 本发明系有关于一种具静电放电防护之高压装置,其由一第一N型掺杂区位于一高压P型井中,扩散区形成于第一N型掺杂区的下方,一低压N型井形成于扩散区之下方,一第二N型掺杂区形成于扩散区之一侧,一第一导体层形成于高压P型井之上方,并位于第二N型掺杂区与扩散区之间,一第三N型掺杂区形成于扩散区之另一侧,一第二导体层形成于高压P型井之上方,并位于第三N型掺杂区与扩散区之间,一金属矽化物层形成于高压P型井之上方,于第一N型掺杂区之上方,一金属矽化物层之边缘分别距离第一导体层与第二导体层0~0.2um。如此,提高热的承受能力、减轻克尔克效应以及提高静电放电防护的能力。
申请公布号 TWI397986 申请公布日期 2013.06.01
申请号 TW097151601 申请日期 2008.12.31
申请人 矽创电子股份有限公司 发明人 黄致远
分类号 H01L23/60 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人 蔡秀玫 新北市土城区金城路2段211号4楼A1室
主权项
地址 新竹县竹北市台元街20号6楼之2 TW 6F-2, NO.20, TAI YUEN ST., JHUPEI CITY 302, HSINCHU COUNTY, TAIWAN