| 发明名称 |
在ＳＯＩ上氮化镓半导体装置及其制程 |
| 摘要 |
一种制造氮化镓半导体在绝缘体结构上之方法及装置包含：黏接单晶矽层至透明基板；以及生成单晶氮化镓层于单晶矽层上。 |
| 申请公布号 |
TWI398019 |
申请公布日期 |
2013.06.01 |
| 申请号 |
TW097139806 |
申请日期 |
2008.10.16 |
| 申请人 |
康宁公司 美国 |
发明人 |
鲁察蓝巴特;卡夏普鲁坦葛喀;杰罗米那皮腊拉;林达鲁平克尼;查庆安 |
| 分类号 |
H01L33/00;H01L21/20;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
