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发明名称
具有在闸极作用区域上之接触的电晶体
摘要
本发明揭示一种在一闸极作用区域上之电晶体接触,其包含形成于一积体电路之一基板上之一电晶体闸极。一闸极绝缘体形成于该电晶体闸极下,并帮助界定该电晶体闸极之一作用区域。一绝缘层形成于该电晶体闸极上。一金属接触插塞形成于位于该作用区域上之绝缘层之一部分中,使得该金属接触插塞与该电晶体闸极形成一电接触。
申请公布号
TWI398001
申请公布日期
2013.06.01
申请号
TW098116951
申请日期
2009.05.21
申请人
豪威科技股份有限公司 美国
发明人
罗狄丝 霍华E
分类号
H01L29/78;H01L23/52;H01L27/146;H01L27/105
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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