发明名称 具有在闸极作用区域上之接触的电晶体
摘要 本发明揭示一种在一闸极作用区域上之电晶体接触,其包含形成于一积体电路之一基板上之一电晶体闸极。一闸极绝缘体形成于该电晶体闸极下,并帮助界定该电晶体闸极之一作用区域。一绝缘层形成于该电晶体闸极上。一金属接触插塞形成于位于该作用区域上之绝缘层之一部分中,使得该金属接触插塞与该电晶体闸极形成一电接触。
申请公布号 TWI398001 申请公布日期 2013.06.01
申请号 TW098116951 申请日期 2009.05.21
申请人 豪威科技股份有限公司 美国 发明人 罗狄丝 霍华E
分类号 H01L29/78;H01L23/52;H01L27/146;H01L27/105 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国