发明名称 Method for fabricating thin film transistor plate and thin film transistor plate fabricated by the same
摘要 <p>공정 효율이 우수한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 박막 트랜지스터를 제공한다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은 채널 영역 양측에 각각 인접한 저농도 도핑 영역 및 저농도 도핑 영역에 각각 인접한 소오스/드레인 영역을 포함하는 반도체층이 형성되어 있는 기판을 제공하는 단계 및 기판 상에 게이트 절연막 및 도전막을 차례로 형성한 후 상기 도전막을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101267499(B1) 申请公布日期 2013.05.31
申请号 KR20050075690 申请日期 2005.08.18
申请人 发明人
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
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