发明名称 |
液晶显示装置及半导体装置 |
摘要 |
液晶显示装置及半导体装置通过扩大驱动液晶的电极之间的间隔,可以控制施加到电极之间的电场的梯度,因此可以将最合适的电场施加到电极之间。本发明的技术要点如下:其包括形成在衬底上的第一电极、形成在衬底及第一电极上的绝缘膜、形成在绝缘膜上并具有形成有源极、沟道区域、以及漏极的半导体膜的薄膜晶体管、位于半导体膜的上层并位于第一电极上且具有第一开口图案的第二电极、以及配置在第二电极上的液晶。 |
申请公布号 |
CN101075051B |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN200710104131.4 |
申请日期 |
2007.05.16 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
木村肇 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
浦柏明;刘宗杰 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:形成在衬底上的像素电极;形成在所述像素电极上的第一绝缘膜;形成在所述第一绝缘膜上的半导体膜;形成在所述半导体膜上的第二绝缘膜;形成在所述第二绝缘膜上的导电膜;形成在所述导电膜上的第三绝缘膜;以及形成在所述第三绝缘膜上并包括开口的公共电极,其中所述像素电极与所述公共电极重叠,并且所述像素电极电连接至所述半导体膜。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |