| 发明名称 | 溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 | ||
| 摘要 | 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN103124805A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201280000715.6 | 申请日期 | 2012.05.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 林毅斌;林森 |
| 主权项 | 一种溅射靶材，包括：氧化物半导体材料，该氧化物半导体材料具有c轴的方向平行于所述氧化物半导体材料的上表面的法向矢量的结晶性。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||