| 摘要 |
<p>본 발명은, 열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계와, 플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계와, 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계와, 출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계와, 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계와, 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계 및 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 하단부, 상기 사이클론 하단부 또는 상기 포집부 하단부에서 포집되는 단계를 포함하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 이용하여 용이하게 고순도의 SiC 나노분말을 합성할 수 있고, 공정이 간단하여 재현성이 높으며, 대량 생산이 가능하다.</p> |
