发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明提供一种即使在从外部局部地施加压力时也不容易损坏的半导体器件及其制造方法。另外,本发明还提供高成品率地制造对于即使受来自外部的局部推压也不损坏的可靠性高的半导体器件的方法。在包括使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层上设置在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体,并且进行加热和压合,来制造固定有在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体及元件层的半导体器件。
申请公布号 CN101266953B 申请公布日期 2013.05.29
申请号 CN200810086420.0 申请日期 2008.03.12
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 杉山荣二;道前芳隆;大谷久;鹤目卓也
分类号 H01L23/28(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I 主分类号 H01L23/28(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种半导体器件的制造方法,包括:在具有绝缘表面的衬底上形成剥离层;在所述剥离层上使用非单晶半导体层形成元件层,该元件层包括有源元件、覆盖所述有源元件的绝缘层、以及布线;通过将在纤维体中浸渗有有机树脂而成的结构体设置在所述元件层上之后进行加热并压合,在所述元件层上形成包含纤维体及浸渗在所述纤维体中的有机树脂的密封层;通过去除所述密封层的一部分来形成连接到所述布线的连接端子;从所述剥离层剥离所述元件层;以及将包括天线的衬底贴合到所述密封层,并且将所述连接端子及所述天线电连接。
地址 日本神奈川县