三维花状水杨酸根插层层状氢氧化物纳米材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三维花状水杨酸根插层的层状氢氧化物纳米材料及其制备方法。该材料是颗粒均匀的纳米粉末，其直径在1-2um，其微观结构为花状结构，花瓣为均匀生长的纳米薄片，该纳米片的厚度为5-20nm。该材料的制备方法是可溶性二价金属盐和可溶性铝盐的混合盐溶液与水杨酸盐溶液混合，同时用碱溶液调节pH=6.5-7.5；在静置状态下于120-160℃水热晶化12-72h；洗涤、干燥，得到三维花状结构水杨酸根插层层状金属氢氧化物纳米材料。所采用的水热法制备，得到的材料纳米颗粒均匀，花瓣均为均匀生长的薄片。本发明具有原料易得，设备工艺简单，无需导向剂或修饰剂，高效快速，产率高等特点，适合大规模工业生产。

主权项

一种三维花状水杨酸根插层的层状氢氧化物纳米材料，其化学通式为：[M2+1‑xM3+x(OH)2]X+(An‑)x/n·mH2O，其中M2+为二价金属阳离子Co2+、Ni2+中的一种或两种、M3+为三价金属阳离子Al3+，An‑为层间阴离子CO32‑，NO3‑，Cl‑；X为M3+/(M2++M3+)的摩尔比值，且0≤X<0.5；m为层间自然形成的结晶水分子数；该材料是颗粒均匀的纳米粉末，其直径在1‑2μm，其微观结构为花状结构，花瓣为均匀生长的纳米薄片，该纳米片的厚度为5‑20nm。