半导体存储器的制造方法

摘要

本发明涉及半导体存储器的制造方法，包括步骤：在半导体衬底上形成栅极；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最小高度小于所述栅极的高度，而所述多晶硅层的顶面距离半导体衬底的最大高度大于所述栅极的高度，从而所述多晶硅层形成高低起伏；在所述多晶硅层之上形成至少填充所述多晶硅层凹陷的有机物层；刻蚀所述有机物层和所述多晶硅层至所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最大高度小于所述栅极的高度；去除剩余的有机物层。与现有技术相比，本发明用有机物层填充多晶硅层凹槽，从而避免产生多晶硅颗粒以及化学机械研磨的泥浆颗粒陷入字线多晶硅层的凹陷处。

主权项

一种半导体存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：在半导体衬底上形成栅极；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最小高度小于所述栅极的高度，而所述多晶硅层的顶面距离半导体衬底的最大高度大于所述栅极的高度，从而所述多晶硅层形成高低起伏；在所述多晶硅层之上形成至少填充所述多晶硅层凹陷的有机物层；刻蚀所述有机物层和所述多晶硅层至所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最大高度小于所述栅极的高度，该步刻蚀完成时仍有有机物层填满所述多晶硅层的凹陷部分；去除剩余的有机物层。