温度测定装置和温度测定方法

摘要

本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件(1)受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。

主权项

一种温度测定装置，其用于测定伴有热过程的物体或气氛的最高到达温度，其特征在于，具有：(1)多个带金属薄膜基板，其在表面平滑的基板上形成有表面平滑且具有与基板不同的热膨胀率的金属薄膜；(2)面密度测定部，其用于对该多个带金属薄膜基板分别施加形成不同的最高到达温度的热过程后，测定在金属薄膜表面发生的凸部或凹部的数量的面密度；(3)收纳表示凸部或凹部的数量的面密度和最高到达温度的关系的数据的记忆部，该凸部或凹部的数量的面密度和最高到达温度的关系基于由所述面密度测定部得到的所述凸部或凹部的数量的面密度的测定值和所述最高到达温度的实测值求得；(4)温度计算部，其用于根据由所述(2)的面密度测定部测定得到的面密度与收纳在所述记忆部中的所述数据之间的对应关系，求得被赋予热过程的应测定物体或气氛的最高到达温度，其中，所述面密度是设置在被赋予任意的热过程的所述应测定物体或气氛的环境中、作为温度测定构件使用的所述(1)的带金属薄膜基板或在与所述(1)同一条件下得到的带金属薄膜基板的金属薄膜表面发生的凸部或凹部的数量的面密度，所述数据表示凸部或凹部的数量的面密度与最高到达温度之间的关系。