Band zu Band Tunnel-Feldeffekttransistor mit gradierter Halbleiterheterostruktur im Tunnelübergang und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Im Rahmen der Erfindung wurde ein Band zu Band Tunnel-Feldeffekttransistor entwickelt. Dieser besteht aus dotiertem Source, dotiertem Drain und undatiertem Kanal in einer p-i-n-Struktur. An den Kanal grenzt ein Dielektrikum an, das ein Gate zur Steuerung des Transistors gegen den Kanal beabstandet. Zwischen dem undatierten Kanal und dem angrenzenden dotierten Bereich ist der Tunnelübergang durch eine gradierte Heterostruktur aus mindestens einem ersten Material A und einem zweiten Material B mit größerer Bandlücke ausgebildet ist. Erfindungsgemäß steigt entlang der Heterostruktur die Konzentration von Material A zunächst an, nimmt ein Maximum an und fällt anschließend wieder ab. Es wurde erkannt, dass für eine derartige Struktur nur eine sehr dünne Schicht des Materials A erforderlich ist, so dass die kritische Schichtdicke für fehlerfreies einkristallines Wachstum nicht oder viel weniger überschritten werden muss als in der gradierten Si/Ge Heterostruktur gemäß Stand der Technik.