发明名称 | 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板 | ||
摘要 | 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序:成型工序,其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状;退火工序,其对玻璃带进行退火;以及切割工序,其切割玻璃带而得到玻璃基板,该玻璃基板的制造方法的特征在于:在退火工序中,使得从退火点至(退火点-50°C)为止的平均冷却速度与从(退火点+100°C)至退火点为止的平均冷却速度相比较低。 | ||
申请公布号 | CN103121792A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
申请号 | CN201310014831.X | 申请日期 | 2009.01.19 |
申请人 | 日本电气硝子株式会社 | 发明人 | 加藤嘉成;松木栄司 |
分类号 | C03B25/00(2006.01)I | 主分类号 | C03B25/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 陈波;朱弋 |
主权项 | 一种玻璃基板的制造方法,其特征在于,包括下述工序:成型工序,其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状;退火工序,其对玻璃带进行退火;以及切割工序,其对玻璃带进行切割,从而得到玻璃基板,所述退火工序包括:将玻璃冷却至退火点为止的第一退火阶段;将玻璃冷却至Tx为止的第二退火阶段,其中,Tx是落在从比退火点低50°C的温度至比退火点低200°C的温度之间的温度;以及将玻璃冷却至比Tx低250°C的温度为止的第三退火阶段,使得第二退火阶段的平均冷却速度低于第一退火阶段的平均冷却速度。 | ||
地址 | 日本滋贺县大津市 |