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发明名称 ALUMINUM GALLIUM NITRIDE BARRIERS AND SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE (SCH) LAYERS FOR SEMIPOLAR PLANE III-NITRIDE SEMICONDUCTOR-BASED LIGHT EMITTING DIODES AND LASER DIODES
摘要
申请公布号 KR20130056206(A) 申请公布日期 2013.05.29
申请号 KR20127022220 申请日期 2011.04.05
申请人 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 发明人 LIN YOU DA;OHTA HIROAKI;NAKAMURA SHUJI;DENBAARS STEVEN P.;SPECK JAMES S.
分类号 H01S5/34 主分类号 H01S5/34
代理机构 代理人
主权项
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