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Ein Feldeffekttransistor, umfassend: einen Kanalbereich (12), erstellt auf einem Verbindungs-Halbleitersubstrat (11); eine Gate-Elektrode (13), erstellt auf dem Kanalbereich (12) eine Source-Elektrode (14) und eine Drain-Elektrode (15), alternierend angeordnet auf dem Kanalbereich (12) mit einer Gate-Elektrode (13) zwischen der Source-Elektrode (14) und der Drain-Elektrode (15), wobei die Source-Elektrode (14) und die Drain-Elektrode (15) angeordnet sind mit den Gate-Elektroden (13) zwischen der Source-Elektrode (14) und der Drain-Elektrode (15), und die entsprechende Anzahl der Source-Elektrode (14), Drain-Elektrode (15) und Gate-Elektrode (13) mindestens zwei ist; ein mit einer externen Schaltung zu verbindendes Bonding-Pad (18); und eine Luftbrücke (20) zum Verbinden des Bonding-Pads (18) mit der Source-Elektrode (14) oder der Drain-Elektrode (15) entlang einer Verbindungsrichtung, wobei die Luftbrücke (20) einen Elektrodenkontaktanschluss (20a) aufweist, der mit der Source-Elektrode (14) oder der Drain-Elektrode (15) verbunden ist, ein Pad-Kontaktanschluss (20b), der mit dem Bonding-Pad (18) verbunden ist, und eine freitragende Kontaktleitung (20c) zum Verbinden des Elektrodenkontaktanschlusses (20a) mit dem Pad-Kontaktanschluss (20b), wobei die Querschnittsfläche des Elektrodenkontaktanschlusses (20a) in einer Richtung senkrecht zu der Verbindungsrichtung des Pad-Kontaktanschlusses (20b), der freitragenden Kontaktleitung (20c) und des Elektrodenkontaktanschlusses (20a) geringer als die Querschnittsfläche der freitragende Kontaktleitung (20c) ist.
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