| 发明名称 | 一种高响应的DIP整流桥的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高响应的DIP整流桥的制作工艺，其特征在于：主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤。所述框架退火工艺为：将框架通过通有氮气的焊接炉（Tpeak=440-460℃）退火。所述刷胶组装工艺为：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域。所述焊接工艺为：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉（Tpeak=350-360℃）使芯片与框架焊接在一起。本发明所得的产品，经检测，芯片表面为金属-半导体直接接触，故频率高，反向恢复时间短，Trr≤15ns，可靠性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103117230A | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201210412773.1 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 南通康比电子有限公司 | 发明人 | 曹孙根;李国良 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人 | 滑春生 |
| 主权项 | 一种高响应的DIP整流桥的制作工艺，其特征在于：主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤；所述框架退火工艺为：将框架通过通有氮气的焊接炉Tpeak=440‑460℃的条件下退火，目的是将框架通过高温退火，使框架变软，减少应力；所述刷胶组装工艺为：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域；所述焊接工艺为：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉Tpeak=350‑360℃的条件下使芯片与框架焊接在一起。 | ||
| 地址 | 226500 江苏省南通市如皋市如城镇工业园区兴园路8号 | ||