双阶段自行对准接触窗及其制造方法

摘要

一种双阶段自行对准接触窗的制造方法。此方法是在具有接触区的基底上形成第一介电层，再于第一介电层中形成与接触区相对应的下部开口。之后，在第一介电层上形成第二介电层，再于第二介电层中形成上部开口，此上部开口自行对准该下部开口并与其连通，构成自行对准接触窗开口。其后，再于自行对准接触窗开口中形成导电层。

主权项

一种双阶段自行对准接触窗的制造方法，包括提供基底，该基底上具有接触区；在该基底上形成第一介电层；在该第一介电层中形成下部开口，其与该接触区相对应；在该第一介电层上形成第二介电层，该第二介电层形成同时会填入该下部开口；以该第一介电层为蚀刻终止层，蚀刻该第二介电层，且蚀刻该第二介电层同时会移除填入该下部开口的部分，以仅在该第二介电层中形成上部开口，其自行对准该下部开口并与其连通构成自行对准接触窗开口；以及在该自行对准接触窗开口中形成导电层，其中在该第一介电层中形成该下部开口的步骤中，所形成的该下部开口裸露出该接触区上的部分该第一介电层，且在进行形成该上部开口的步骤时，还包括去除该下部开口底部的该第一介电层，裸露出该接触区。