| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH371187(A) |
申请公布日期 |
1963.08.15 |
| 申请号 |
CH19570045706 |
申请日期 |
1957.05.03 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
MICHAEL SMITS,FRIEDOLF |
| 分类号 |
C23C16/00;C30B31/06;H01L21/00;H01L21/22;H01L21/24;H01L29/36 |
主分类号 |
C23C16/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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