发明名称 封装结构及其形成方法
摘要 一种器件包括再分配线,以及在该再分配线上模制的聚合物区域。该聚合物区域包括第一平坦顶面。焊接区域设置在该聚合物区域中并且与再分配线电连接。焊接区域包括不高于第一平坦顶面的第二平坦顶面。本发明提供了封装结构及其形成方法。
申请公布号 CN103117261A 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201210187433.3 申请日期 2012.06.07
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 萧景文;郑明达;林志伟;陈承先;陈志华;郭正铮
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种器件,包括:再分配线;聚合物区域,模制在所述再分配线的上方,其中,所述聚合物区域包括第一平坦顶面;以及焊接区域,位于所述聚合物区域中并且与所述再分配线电连接,其中,所述焊接区域包括不高于所述第一平坦顶面的第二平坦顶面。
地址 中国台湾新竹