| 发明名称 | 低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法 | ||
| 摘要 | 低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法，涉及电子材料技术。本发明以原料计算，组分为：氧化钡：15%～18%；三氧化二钕：10%～36%；三氧化二钐：0%～26%；二氧化钛：30%～35%；氧化锌：0%～2%；三氧化二铝：0%～3%；氧化钙:0%～3%；碳酸锂：0%～5%；二氧化硅：0%～5%；三氧化二硼：0%～4%；微量添加物：0%～5%；以上为重量百分比。本发明性能上有较大提升，传统配方在降低烧结温度的同时，介电常数降低（53～65），Qf减小。 | ||
| 申请公布号 | CN103113105A | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201310018624.1 | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 周晓华;李恩竹;张树人 |
| 分类号 | C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | 低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷，以原料计算，组分为：氧化钡：15%～18% 三氧化二钕：10%～36%三氧化二钐：0%～26% 氧化钛：30%～35%氧化锌：0%～2% 三氧化二铝：0%～3%氧化钙:0%～3% 碳酸锂：0%～5%二氧化硅：0%～5% 三氧化二硼：0%～4%微量添加物：0%～5%以上为重量百分比。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||