发明名称 |
薄膜制造方法和薄膜制造装置 |
摘要 |
为了提供一种能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜的薄膜制造方法及薄膜制造装置,向腔室51内输送虚拟基板S2,并向虚拟基板S2供给虚拟处理用气体,向腔室51内输送产品基板S3,并向产品基板S3供给与虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体。作为虚拟处理用气体不使用原料气体,因此能够抑制各金属原料的消耗量,并能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜。 |
申请公布号 |
CN103119697A |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201180045070.3 |
申请日期 |
2011.09.15 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
增田健;出野琢也;梶沼雅彦;小田岛畅洋;内田阳平;邹弘纲 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 |
代理人 |
徐川;张颖玲 |
主权项 |
一种薄膜制造方法,包括:向腔室内输送虚拟基板,并向所述虚拟基板供给虚拟处理用气体,向所述腔室内输送产品基板,并向所述产品基板供给与所述虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体。 |
地址 |
日本神奈川县 |