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<p>기억 정밀도가 열화되지 않는 TMR막을 포함하는 메모리 셀을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 얻는다. TMR 하부 전극(28) 상에 있어서, 평면에서 보아 디지트선(25d)의 형성 영역의 일부에 해당하는 영역에 TMR 소자(5)(TMR막(29), TMR 상부 전극(31))가 선택적으로 형성된다. TMR 상부 전극(31)은 Ta에 의해 30∼100㎚의 막 두께로 형성되고, 제조 공정 시에 있어서 하드 마스크로서도 기능한다. TMR 소자(5)의 전체면 및 TMR 하부 전극(28)의 상면 상에 LT-SiN으로 이루어지는 층간 절연막(30)이 형성되고, TMR 하부 전극(28)의 측면을 포함하는 전체면을 피복하여 LT-SiN으로 이루어지는 층간 절연막(32)이 형성된다. 또한, 전체면을 피복하여 SiO로 이루어지는 층간 절연막(33)이 형성된다.</p> |
