发明名称 |
晶体生长的系统和方法 |
摘要 |
为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取,当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚,但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生;例如,圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少,从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。 |
申请公布号 |
CN101305116B |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN200680039620.X |
申请日期 |
2006.08.25 |
申请人 |
晶体系统公司 |
发明人 |
F·施米德;C·P·哈塔克;D·B·乔伊斯 |
分类号 |
C30B35/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B35/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
柴毅敏 |
主权项 |
一种用于从坩埚内的液体生长晶体的系统,所述系统包括:从下方支撑坩埚的支撑结构;相对于支撑结构可移动的热交换器,用于从支撑结构吸取热量;加热坩埚的至少一个加热元件;在所述至少一个加热元件和坩埚之间的位置范围上相对于所述至少一个加热元件和坩埚可移动的可移动护罩;其中,热交换器包括隔热件,所述隔热件可移动离开支撑结构,以便离开支撑结构的移动导致热量从支撑结构损失。 |
地址 |
美国马萨诸塞 |