| 摘要 |
一种氮化物半导体结晶表面之加工方法，其特征在于使作为加工液之至少含有Na、Li或Ca之液体与氮化物半导体结晶之表面接触。在本加工方法中，加工液系至少含有Na之液体，加工液中之Na含有率可为5莫耳%~95莫耳%。又，加工液系至少含有Li之液体，加工液中之Li含有率可为5莫耳%~100莫耳%。藉由上述加工方法可以得到最深表面伤痕深度为0.01微米以下或平均加工变质层厚度为2微米以下之氮化物半导体结晶。其结果可提供表面伤痕深度以及加工变质层厚度较小之氮化物半导体结晶表面之加工方法及以该方法所得之氮化物半导体结晶。 |
