TFT阵列结构及其制造方法

摘要

一种TFT阵列结构及其制造方法，其中TFT阵列结构包括：基板；栅电极金属层、栅电极绝缘层、半导体层和欧姆接触层；第一绝缘层；源电极金属层和漏电极金属层以及二者之间的沟道；覆盖所述栅电极绝缘层并通过过孔与所述漏电极金属层连接的像素电极；像素电极与所述栅电极金属层构成存储电容的两极，所述存储电容的存储介质为单层结构或二层结构，可以比现有技术中的存储电容具有更大的电容存储能力。

主权项

一种TFT阵列结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有第一区域和第二区域；第一绝缘层，覆盖所述基板上除第一区域和第二区域之外的区域；薄膜晶体管结构，包括位于所述第一区域上的栅电极金属层、栅电极绝缘层和半导体层，以及位于所述半导体层和第一绝缘层之上的源电极金属层和漏电极金属层；所述源电极金属层和漏电极金属层之间具有位于第一区域上的沟道；所述第一绝缘层不覆盖所述半导体层、栅电极金属层、栅电极绝缘层；位于所述第二区域上的栅电极金属层和栅电极绝缘层；还包括：第二绝缘层，覆盖所述源电极金属层、沟道、漏电极金属层、第一绝缘层和所述第二区域的栅电极绝缘层；像素电极，覆盖所述第二绝缘层，并与所述漏电极金属层连接；所述像素电极和所述栅电极金属层在第二区域上构成存储电容的两极，所述存储电容的存储介质仅包括栅电极绝缘层和第二绝缘层。