| 发明名称 | 薄膜太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜太阳能电池的制造方法，包括：提供一薄膜太阳能电池沉积设备，所述薄膜太阳能电池沉积设备包括反应腔；提供基板，所述基板设置在所述反应腔中；向所述反应腔内通入流量比为第一比例的硅烷和氢气，将所述反应腔内的气体控制在第一气压下，在基板上形成P型微晶硅层；向所述反应腔内通入流量比为第二比例的硅烷和氢气，将所述反应腔内的气体控制在第二气压下，在所述P型微晶硅层上形成孵化层，所述第二气压大于或等于0.3mbar且小于或等于2mbar；向所述反应腔内通入流量比为第三比例的硅烷和氢气，将所述反应腔内的气体控制在第三气压下，在所述孵化层上形成本征微晶硅层。在低气压下的条件下生长孵化层可以降低发尘的几率。 | ||
| 申请公布号 | CN102064236B | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201010553709.6 | 申请日期 | 2010.11.19 |
| 申请人 | 理想能源设备（上海）有限公司 | 发明人 | 陈金元;马哲国;董家伟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种薄膜太阳能电池的制造方法，包括：提供一薄膜太阳能电池沉积设备，所述薄膜太阳能电池沉积设备包括反应腔、位于所述反应腔内的上电极、与上电极相连的射频产生装置，所述射频产生装置用于向所述上电极加载射频信号，用于形成等离子体，以沉积硅薄膜；提供基板，所述基板设置在所述反应腔中；向所述反应腔内通入流量比为第一比例的硅烷和氢气，将所述反应腔内的气体控制在第一气压下，在基板上形成P型微晶硅层；向所述反应腔内通入流量比为第二比例的硅烷和氢气，将所述反应腔内的气体控制在第二气压下，在所述P型微晶硅层上形成孵化层，所述第二气压大于或等于0.3mbar且小于或等于2mbar；向所述反应腔内通入流量比为第三比例的硅烷和氢气，将所述反应腔内的气体控制在第三气压下，在所述孵化层上形成本征微晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江居里路1号 | ||