多项目晶圆的芯片制造方法及多项目晶圆的外层金属掩膜板

摘要

本发明公开一种多项目晶圆的芯片制造方法，包括以下步骤：在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形，所述阻挡金属图形对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片；利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目晶圆上的最外层金属进行图形化处理；在进行图形化处理后的最外层金属上淀积绝缘介质层以及钝化层；利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板，对所述绝缘介质层及钝化层进行图形化处理，形成PAD。以及一种适用上述方法的多项目晶圆的外层金属掩膜板。制程外芯片表面的绝缘介质层和钝化层被图形化后，形成的接触孔会在阻挡金属层之上，刻蚀、清洗等步骤不会在制程外芯片上造成缺陷。

主权项

一种多项目晶圆的芯片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形，所述阻挡金属图形对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片；利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目晶圆上的最外层金属进行图形化处理；在进行图形化处理后的最外层金属上淀积绝缘介质层以及钝化层；利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板，对所述绝缘介质层及钝化层进行图形化处理，形成PAD。