发明名称 一种载银牙科种植体的制备方法
摘要 本发明涉及牙科种植材料领域,公开了一种载银牙科种植体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,选用纯钛或者钛合金加工成种植体基体,再将种植体基体表面抛光后,依次用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗,然后吹干;步骤2,采用阳极氧化工艺在种植体基体外表面制备二氧化钛纳米管阵列层;再依次用无水乙醇和去离子水清洗,然后在150℃-250℃下退火0.5-1.5小时;步骤3,采用等离子体浸没式离子注入及沉积工艺将银加载在二氧化钛纳米管阵列层表面,形成银离子层,然后经过去离子水清洗、干燥,获得二氧化钛纳米管阵列层载银的牙科种植体。
申请公布号 CN102345135B 申请公布日期 2013.05.15
申请号 CN201110283360.3 申请日期 2011.09.22
申请人 中国人民解放军第四军医大学 发明人 张玉梅;梅盛林;赵领洲;马千里
分类号 C23F17/00(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I 主分类号 C23F17/00(2006.01)I
代理机构 西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61218 代理人 惠文轩
主权项 一种载银牙科种植体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,选用纯钛或者钛合金加工成种植体基体,再将种植体基体表面抛光后,依次用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗,然后吹干;步骤2,采用阳极氧化工艺在种植体基体外表面制备二氧化钛纳米管阵列层;再依次用无水乙醇和去离子水清洗,然后在150℃‑250℃下退火0.5‑1.5小时;步骤3,采用等离子体浸没式离子注入及沉积工艺将银加载在二氧化钛纳米管阵列层表面,形成银离子层,然后经过去离子水清洗、干燥,获得二氧化钛纳米管阵列层载银的牙科种植体;步骤2所述的阳极氧化工艺中,阳极为种植体基体,阴极为铂片或者石墨,电解液为HF酸与去离子水的混合溶液,HF酸所占体积比为0.5%;用直流电源通电,电压为10‑20V,通电时间为0.5‑2小时,阴极、阳极间距离3‑8厘米;步骤3所述的等离子体浸没式离子注入及沉积工艺中,其真空室中基础真空度等于或高于10‑4Pa,工作气体为氩气,阴极弧电源的脉冲频率为10Hz,脉宽为3000μs;脉冲偏压电源的加载负压为0.5‑3kV,注入时间为1‑2小时。
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