| 发明名称 | 一次编程存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括：下电极；上电极；以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜；上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功能薄膜低阻态时所具有的整流特性能够有效的抑制交叉阵列结构中的读串扰，便于存储器件和外围电路的集成，简化了器件的制备工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN103106926A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
| 申请号 | CN201110355203.9 | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;吕杭炳;刘琦 |
| 分类号 | G11C17/10(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种一次编程存储器，其特征在于，包括：下电极；上电极；以及位于所述上电极与所述下电极之间的阻变功能薄膜；所述上电极与所述阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，所述阻变功能薄膜与所述下电极之间形成欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||