用于TSV铜互连的应力隔离焊垫结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种用于TSV铜互连的应力隔离焊垫结构及其制备方法，包括位于TSV通孔铜柱与硅孔壁交界区域的跨越式连接部分和附着于TSV铜柱顶端面和硅芯片表面的平铺部分；使作为焊垫的金属膜在大部分与TSV铜柱和芯片表面紧密结合的同时，只在铜柱与硅孔壁交界的环状微区脱离表面，形成跨越式连结沟通垂直互连铜柱与再分布互连导线。这样当铜柱与硅孔交界处产生集中热应力形变时，并不能直接传递给跨越式焊垫结构，同时跨越式结构还能通过自身易于形变的特性很好地适应因界面变形而产生的结构变化，从而确保焊垫内应力处于安全区间，降低断裂的可能性，减少电互连失效现象发生。

主权项

一种用于TSV铜互连的应力隔离焊垫结构，其特征在于：包括位于TSV通孔铜柱与硅孔壁交界区域的跨越式连接部分和附着于TSV铜柱顶端面和硅芯片表面的平铺部分；所述的跨越式连接部分沿着TSV通孔边缘的走向分布，其中设有隆起部分,该隆起部分覆盖在TSV铜柱与硅孔壁交界线的正上和/或正下方，平铺部分附着于TSV铜柱顶端面和硅芯片表面。