发明名称 电子材料用Cu-Ni-Si系合金
摘要 本发明之课题在于提供一种藉由于Cu-Ni-Si系合金中让Cr添加效果更佳地发挥而使特性飞跃性提高,即高强度、高导电性之卡逊系合金。;此种电子材料用铜合金,其含有Ni:1.0~4.5质量%、Si:0.50~1.2质量%、Cr:0.003~0.3质量%(其中,Ni与Si之质量比为3≦Ni/Si≦5.5),且剩余部分由Cu及不可避免之杂质所构成,对于分散于材料中之大小为0.1 μm以上5 μm以下之Cr-Si化合物而言,其分散粒子中之Cr相对于Si之原子浓度比为1~5,其分散密度为1×106个/mm2以下。
申请公布号 TWI395824 申请公布日期 2013.05.11
申请号 TW097111276 申请日期 2008.03.28
申请人 JX日鑛日石金属股份有限公司 日本 发明人 江良尚彦
分类号 C22C9/06 主分类号 C22C9/06
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 日本