| 发明名称 |
PROCEDE AMELIORE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A CAVITE FORMEE ENTRE UN ELEMENT SUSPENDU REPOSANT SUR DES PLOTS ISOLANTS SEMI-ENTERRES DANS UN SUBSTRAT ET CE SUBSTRAT |
| 摘要 |
<p>L' invention concerne un procédé amélioré de réalisation d'un dispositif comprenant une ou plusieurs cavités (150a, 150b) définies entre un substrat (100) à base d' au moins un matériau semi-conducteur donné et une membrane (140) reposant sur le sommet de plots isolants (104a, 104b, 104c) dépassant du substrat, le procédé permettant d' adapter la hauteur de la ou des cavités indépendamment de celle des plots isolants</p> |
| 申请公布号 |
FR2982414(A1) |
申请公布日期 |
2013.05.10 |
| 申请号 |
FR20110060208 |
申请日期 |
2011.11.09 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES |
发明人 |
LARREY VINCENT;POLIZZI JEAN-PHILIPPE |
| 分类号 |
H01L21/302;B81B7/02;B81C1/00 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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