SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

摘要

선단 프로세스에서는, 게이트 터널 누설 전류가 증대하고, 휴대 전화용과 같이 전지로 구동되어 저 누설 전류에서의 대기가 필요하게 되는 LSI에서는 문제로 된다. 논리 회로 및 메모리 회로의 접지 소스 전극 선을 동작시에는, 접지 전위로 유지하고, 선택되지 않은 대기시에는 접지 소스 전극 선을 접지 전위보다 높은 전압으로 유지한다. 본 발명에 의하면, 데이터를 파괴하는 것 없이 게이트 터널 누설 전류를 저감하는 것이 가능하다.