发明名称 METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER, AND DEVICE FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER
摘要 <p><과제> 작업 부담을 증가시키지 않고, 상하의 회전 정반에 의해 캐리어에 유지된 반도체 웨이퍼의 양면을 연마할 때의, 연마 진행상황을 정확하게 추정할 수 있는 반도체 웨이퍼의 연마 방법 및 반도체 웨이퍼의 연마 장치를 제공한다. <해결 수단> 상하의 회전 정반(2, 3)에 의해 캐리어(6a)에 유지된 웨이퍼(W)를 협지하여, 당해 상하의 회전 정반(2, 3)을 회전 동작시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 양면을 동시 연마하는 연마 장치(1)를 이용한 웨이퍼의 연마 방법이고, 웨이퍼(W)의 양면을 동시 연마하고 있을 때의, 연마 장치(1)의 정반 부하 전류값을 모니터하고, 그 모니터한 정반 부하 전류값을 사용하여 일정시간 내에 있어서의 정반 부하 전류값의 표준편차를 기준시간마다 산출하여, 당해 산출한 표준편차의 변화로부터 웨이퍼(W)의 연마의 진행도를 추정한다.</p>
申请公布号 KR101259315(B1) 申请公布日期 2013.05.09
申请号 KR20110085947 申请日期 2011.08.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/304;H01L21/66 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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