非易失性存储器的基准电流的内置自微调

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器的基准电流的内置自微调机制，通过该内置微调机制，产品的可靠性能够通过使用于访问非易失性存储器以及用于执行对基准电流的初始微调的基准电流的漂移最小化来提高。实施例通过以下操作来执行这些任务：使用模数转换器（330，530）来提供基准电流（Iref）的数字表示，然后将该数字表示与Iref的所存储的目标范围值比较，并且然后相应地调整Iref的源。对于由NVM基准位单元（310）生成的基准电流，编程或擦除脉冲被施加于基准单元，作为微调过程的一部分。对于由基于带隙的电路（510）生成的基准电流，比较结果能够被用来调整基准电流电路。另外，环境因素（例如，温度）能够被用来调整基准电流的测量值和目标范围值。

主权项

一种方法，包括：将非易失性存储器（NVM）的基准电流转换为NVM基准电流的数字值，其中所述转换通过与所述NVM基准电流的发生器耦接的模数转换器（ADC）来执行；将所述NVM基准电流的数字值与目标值的范围比较；如果所述NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之外，则调整所述NVM基准电流的发生器以产生所调整的NVM基准电流，其中与所调整的NVM基准电流关联的所调整的NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之内；以及其中所述转换、比较和调整由包括NVM的片上系统的构件执行。