| 发明名称 | 低导通电阻的超高压NLDMOS器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低导通电阻的超高压NLDMOS器件，其两个P-TOP之间的间隙位于器件源端的P阱与场氧化层边界之间的区域。本发明还公开了上述器件的制备方法。该超高压NLDMOS器件通过将两个P-TOP的间隙位置放置在靠近源端的P阱与LOCOS边界之间的区域，增大了漏极到源极的双通道的长度，从而增大了驱动电流，并大幅降低了导通电阻Rsp。 | ||
| 申请公布号 | CN103094341A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110350818.2 | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 董金珠 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 低导通电阻的超高压NLDMOS器件，包含有两个P‑TOP，其特征在于，两个P‑TOP之间的间隙位于所述器件源端的P阱与场氧化层边界之间的区域。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||