基于沟槽MOSFET的二极管的芯片切割保护环及其制作方法

摘要

本发明提供一种基于沟槽MOSFET的二极管的芯片切割保护环的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上具有器件区域和围绕器件区域的芯片切割保护环区域；当器件区域中形成器件沟槽时，在芯片切割保护环区域中同步形成环形沟槽；当器件沟槽中淀积栅极材料时，在环形沟槽中也同步淀积栅极材料，并对芯片表面进行回刻，直至器件区域露出半导体衬底；在芯片表面依次形成绝缘介质层和导电金属层，绝缘介质层和导电金属层依次同步填入环形沟槽中，形成芯片切割保护环。相应地，本发明还提供一种基于沟槽MOSFET的二极管的芯片切割保护环。本发明形成的芯片切割保护环起到标识切割道的作用，同时防止芯片在切割过程中发生裂片，简化了工艺流程，降低了生产成本。

主权项

一种基于沟槽MOSFET的二极管的芯片切割保护环的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上具有器件区域和围绕所述器件区域的芯片切割保护环区域；当所述器件区域中形成器件沟槽时，在所述芯片切割保护环区域中同步形成环形沟槽；当所述器件沟槽中淀积栅极材料时，在所述环形沟槽中也同步淀积所述栅极材料，并对芯片表面进行回刻，直至所述器件区域露出半导体衬底；在所述芯片表面依次形成绝缘介质层和导电金属层，所述绝缘介质层和导电金属层依次同步填入所述环形沟槽中，形成所述芯片切割保护环。