发明名称 |
基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜及其制备方法 |
摘要 |
基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜及其制备方法,涉及一种离子交换膜及其制备方法。提供一种制备方法简单、成本低、电导率较高、具有良好的化学稳定性及热稳定性的基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜及其制备方法。先自由基共聚合合成含吡咯烷酮阳离子基团的聚合物,再将所得到的含吡咯烷酮阳离子基团的聚合物溶解在有机溶剂中配制成聚合物溶液,用相转化法浇铸成膜,干燥后即得到基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜。 |
申请公布号 |
CN103084223A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201310057629.5 |
申请日期 |
2013.02.22 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
方军;兰程莉 |
分类号 |
B01J41/14(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08F226/10(2006.01)I |
主分类号 |
B01J41/14(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
1.基于吡咯烷酮阳离子的聚合物阴离子交换膜,其特征在于其化学结构式为:<img file="FDA00002852894900011.GIF" wi="840" he="497" />其中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>为氢原子或者碳原子数小于4的烷基,R<sub>3</sub>为氢原子或者碳原子数小于5的烷基,R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>为氢原子或者碳原子数小于4的烷基,R<sub>6</sub>为苯基或者酯基;X-为阴离子,可以是Cl<sup>-</sup>、Br<sup>-</sup>、F<sup>-</sup>、BF<sub>4</sub><sup>-</sup>、PF<sub>6</sub><sup>-</sup>、SO<sub>3</sub>H<sup>-</sup>、OH<sup>-</sup>中的任一种;m和n为聚合度,是大于零的整数。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |