| 发明名称 | 改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，包括：1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净；3)进行栅极回刻，使栅极的高度低于侧墙的高度；4)去除有机抗反射层；5)形成金属硅化物。本发明能在栅极表面形成比较均匀的金属硅化物，因而能改善后续接触孔连接的阻值的稳定性，为提高器件的性能奠定基础。 | ||
| 申请公布号 | CN103094088A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110350556.X | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 黄志刚 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，其特征在于，包括：(1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；(2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净；(3)进行栅极回刻，使栅极的高度低于侧墙的高度；(4)去除有机抗反射层；(5)形成金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||