一种光刻掩模

摘要

本发明提供一种光刻掩模，所述掩模包括：位于掩模的主图形和位于掩模边缘的透光的辅助图形，所述主图形和所述辅助图形之间的最小距离保证在光刻曝光上述不同图形区域时不互相干扰。根据本发明，可以在满足晶片边缘的聚焦功能正常的情况下，同时克服晶片边缘的不完整曝光区域的氮化硅残留的问题。

主权项

一种光刻掩模，所述掩模包括：位于掩模中央的主图形和位于掩模边缘的透光的辅助图形，所述主图形和所述辅助图形之间的最小距离保证在光刻曝光上述不同图形区域时不互相干扰。