倒装结构的LED高压芯片

摘要

本实用新型揭示倒装结构的LED高压芯片，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的至少两个单元半导体外延薄膜，支持衬底；相邻的单元半导体外延薄膜通过连接电极电连接；单元半导体外延薄膜键合在支持衬底上。全部单元半导体外延薄膜以串联方式连接，形成倒装结构的LED高压直流芯片。全部单元芯片以整流桥式的方式连接或者以串联和并联混合的方式连接，形成倒装结构的LED高压交流芯片。

主权项

一种倒装结构的LED高压芯片，包括：‑透明的生长衬底；‑多个分立的单元半导体外延薄膜：所述的单元半导体外延薄膜形成在所述的生长衬底上；所述的单元半导体外延薄膜包括：依次形成在所述的生长衬底上的n‑类型限制层、活化层和p‑类型限制层；每个所述的单元半导体外延薄膜和其下面的生长衬底形成单元芯片；在所述的单元半导体外延薄膜的预定位置，预定形状的部分所述的n‑类型限制层暴露；相邻的所述的单元半导体外延薄膜之间，所述的生长衬底暴露；‑钝化层：所述的钝化层层叠在所述的每个单元半导体外延薄膜上；所述的钝化层在所述的单元半导体外延薄膜的p‑类型限制层的上方的预定的位置上具有预定形状的窗口，所述的p‑类型限制层的一部分在所述的窗口中暴露；所述的钝化层在所述的单元半导体外延薄膜的暴露的n‑类型限制层的上方的预定的位置上具有预定形状的窗口，所述的n‑类型限制层的一部分在所述的窗口中暴露；‑p‑电极：所述的p‑电极通过所述的钝化层在一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的p‑类型限制层上方的所述的窗口，层叠在所述的p‑类型限制层上；‑n‑电极：所述的n‑电极通过所述的钝化层在一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的n‑类型限制层的暴露部分的上方的所述的窗口，层叠在所述的n‑类型限制层上；所述的p‑电极和所述的n‑电极不在同一个所述的单元半导体外延薄膜上；‑至少一个连接电极：所述的连接电极包括p‑连接电极、n‑连接电极、p‑n‑连接电极；其中，所述的p‑连接电极通过所述的钝化层在一个 所述的单元半导体外延薄膜的所述的p‑类型限制层上方的所述的窗口，层叠在所述的p‑类型限制层上；所述的n‑连接电极通过所述的钝化层在另一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的n‑类型限制层的暴露部分的上方的所述的窗口，层叠在所述的n‑类型限制层上；所述的p‑n‑连接电极把所述的p‑连接电极和所述的n‑连接电极连接起来的连接方式是从一组连接方式中选出，该组连接方式包括，p‑n‑连接电极把在一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的p‑类型限制层上的所述的p‑连接电极和在另一个相邻的所述的单元半导体外延薄膜的所述的n‑类型限制层上的所述的n‑连接电极连接，p‑n‑连接电极把在一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的p‑类型限制层上的所述的p‑连接电极和在另外两个相邻的所述的单元半导体外延薄膜的所述的n‑类型限制层上的所述的n‑连接电极连接，p‑n‑连接电极把在一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的n‑类型限制层上的所述的n‑连接电极和在另外两个相邻的所述的单元半导体外延薄膜的所述的p‑类型限制层上的所述的p‑连接电极连接；‑支持衬底：所述的支持衬底是从一组支持衬底中选出，该组支持衬底包括：绝缘支持衬底，导电支持衬底，通孔绝缘支持衬底，通孔导电支持衬底；其中，所述的绝缘支持衬底的第一表面上形成位置和形状与所述的p‑电极和n‑电极相对应的互相分立的一个p‑焊盘和一个n‑焊盘；所述的导电支持衬底的第一表面上形成一层绝缘层，所述的绝缘层上形成位置和形状与所述的p‑电极和n‑电极相对应的互相分立的一个p‑焊盘和一个n‑焊盘；所述的通孔绝缘支持衬底中形成至少两个通孔，所述的通孔中形成导电的填充塞，所述的通孔绝缘支持衬底的第一表面上形成位置和形状与所述的p‑电极和n‑电极相对应的互相分立的一个p‑焊盘和一个n‑焊盘，所述的通孔绝缘支持衬底的第二表面上形成互相分立的一个p‑2焊盘和一个n‑2焊 盘，所述的p‑焊盘和所述的p‑2焊盘通过所述的导电的填充塞形成电连接，所述的n‑焊盘和所述的n‑2焊盘通过所述的导电的填充塞形成电连接；所述的通孔导电支持衬底的两个表面上分别形成绝缘层，所述的通孔导电支持衬底以及其两个表面上的绝缘层中形成至少两个通孔，在所述的通孔中形成绝缘的填充塞，在所述的绝缘的填充塞中形成导电的填充塞，使得所述的导电的填充塞与所述的通孔导电支持衬底互相电绝缘，所述的通孔导电支持衬底的第一表面上的所述的绝缘层上形成位置和形状与所述的p‑电极和n‑电极相对应的互相分立的一个p‑焊盘和一个n‑焊盘，所述的通孔导电支持衬底的第二表面上的所述的绝缘层上形成互相分立的一个p‑2焊盘和一个n‑2焊盘，p‑焊盘和p‑2焊盘通过所述的导电的填充塞形成电连接，n‑焊盘和n‑2焊盘通过所述的导电的填充塞形成电连接；形成在一个所述的单元半导体外延薄膜上的所述的n‑电极与所述的支持衬底上的所述的n‑焊盘键合形成电连接，形成在另一个所述的单元半导体外延薄膜上的所述的p‑电极与所述的支持衬底上的所述的p‑焊盘键合形成电连接，使得所述的生长衬底、所述的半导体外延薄膜、所述的支持衬底形成倒装结构的LED高压芯片。