发明名称 | 一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法,该方法包括局部均衡实现方法及全局均衡实现方法,该方法根据NAND FLASH总块数及系统性能需求,按照分配为LOG块,针对每个LOG块的擦写次数,优先分配擦写次数最低的LOG块作为新数据的存储块以实现LOG块内的局部均衡实现方法;并通过将数据块中擦写次数相对较少的数据块记录到COLD-DATA-POOL中,判断比较等步骤实现全局均衡,本方法可有效避免因COLD-DATA导致的对NAND FLASH造成的擦除次数不均衡,可有效提高NAND FLASH的使用寿命。 | ||
申请公布号 | CN103092766A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
申请号 | CN201210595077.9 | 申请日期 | 2012.12.28 |
申请人 | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 | 发明人 | 张志永;宗宇 |
分类号 | G06F12/02(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人 | 杨春颖 |
主权项 | 一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法,能够实现局部的均衡损耗,其特征在于包括以下步骤:(1)将NAND FLASH内的块BLOCK划分为LOG块区及DATA块区,实时记录LOG块区及DATA块区中所有块的擦写次数;(2)当有新数据需要向某个DATA块写入或更新时,将此DATA块作为原DATA块,若存在与原DATA块对应的LOG块且此LOG块可用,则直接将此LOG块作为存储DATA块写入或更新数据;若存在与原DATA块对应的LOG块但此LOG块不可用,或者不存在原DATA块对应的LOG块,则在LOG块区中选用擦除次数最少的可用LOG块做为存储DATA块写入或更新数据;若所有LOG块均不可用或者新数据已经写入或更新完毕时,进行存储DATA块与原DATA块的数据合并操作;(3)将合并操作后的块作为新的DATA块,将原DATA块及存储DATA块进行擦除操作,将擦除后的原DATA块及存储DATA块作为新的LOG块使用;(4)更新所有块的擦写次数。 | ||
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