发明名称 一种大功率毫米波与太赫兹辐射源装置
摘要 本发明公开了一种大功率毫米波与太赫兹辐射源装置,包括第一低频段慢波结构、第二低频段慢波结构和高频段慢波结构,所述第一低频段慢波结构一端设有低频信号接口和电子束接口,所述第二低频段慢波结构一端设有信号接口,所述高频段慢波结构设有输出端口;所述第一低频段慢波结构与第二低频段慢波结构之间连接有第一漂移管,所述第二低频段慢波结构与高频段慢波结构之间连接有第二漂移管。本发明能够获得稳定的大功率太赫兹辐射源,同时具有技术成熟、结构简单、成本低的特点。
申请公布号 CN103094025A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201310015533.2 申请日期 2013.01.16
申请人 电子科技大学 发明人 巩华荣;王斌;唐涛;宫玉彬
分类号 H01J23/24(2006.01)I;H01J23/027(2006.01)I;H01J23/54(2006.01)I 主分类号 H01J23/24(2006.01)I
代理机构 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人 徐丰;杨保刚
主权项 一种大功率毫米波与太赫兹辐射源装置,其特征在于:包括第一低频段慢波结构、第二低频段慢波结构和高频段慢波结构,所述第一低频段慢波结构一端设有低频信号接口和电子束接口,所述第二低频段慢波结构一端设有信号接口,所述高频段慢波结构设有输出端口;所述第一低频段慢波结构与第二低频段慢波结构之间连接有第一漂移管,所述第二低频段慢波结构与高频段慢波结构之间连接有第二漂移管;输入的电子束与低频段毫米波或者太赫兹波在第一低频段慢波结构内互作用,产生速度调制,在第一漂移管产生电子群聚,并形成了子能带,携带子能带的电子束进入第二低频段慢波结构,与输入的低频段毫米波或者太赫兹波再次进行速度调制,在第二漂移管区再一次产生电子群聚,产生密度调制,在此电子束电流内激励起高次谐波电流,群聚的电子束携带激励电流信号进入高频段慢波结构,在此激励起高次谐波的电磁波并被放大。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号