| 发明名称 | 用于静电保护的半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的用于静电保护的半导体元件的制造方法，该用于静电保护的半导体元件位于电子设备的输入端并保护电子设备免受过电压，其特征在于，包括：第一步骤，在由硅片或玻璃基板构成的基底基板上形成下基板；第二步骤，在所述下基板的上面形成具有规定间隙的一对金属电极；第三步骤，在一对所述金属电极上面通过光刻工艺指定电极焊盘区域并形成上基板；及第四步骤，封装元件并完成。 | ||
| 申请公布号 | CN103094101A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110436179.1 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 金镇亨 | 发明人 | 金镇亨;林旼贞 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 张晶 |
| 主权项 | 用于静电保护的半导体元件的制造方法，该用于静电保护的半导体元件位于电子设备的输入端并保护电子设备免受过电压，其特征在于，包括：第一步骤，在由硅片或玻璃基板构成的基底基板上形成下基板；第二步骤，在所述下基板的上面形成具有规定间隙的一对金属电极；第三步骤，在一对所述金属电极上面通过光刻工艺指定电极焊盘区域并形成上基板；及第四步骤，封装元件并完成。 | ||
| 地址 | 韩国大田广域市 | ||