发明名称 |
一种弱光型非晶硅太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型涉及一种弱光型非晶硅太阳能电池,属于太阳能电池技术领域。解决p型窗口层(简称P层)与缓冲层之间界面缺陷等技术问题,弱光型非晶硅太阳能电池,在玻璃基板上依次层叠前电极层、P型窗口层、缓冲层、本征层、n型掺杂层、背电极层和背漆保护层,其特征在于所述p型窗口层与缓冲层之间沉积有过渡层,该过渡层为微晶相或者微晶相p型掺杂硅碳合金薄膜。本实用新型能够调节P层与缓冲层之间的带隙,在界面间获得更高的表观带隙,使得内建电场更强,光生载流子增加,减少了界面的复合,提高短路电流和开路电压。 |
申请公布号 |
CN202930420U |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201220611626.2 |
申请日期 |
2012.11.19 |
申请人 |
深圳市创益科技发展有限公司 |
发明人 |
王广文;李毅 |
分类号 |
H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/075(2012.01)I |
代理机构 |
深圳市毅颖专利商标事务所 44233 |
代理人 |
段立丽;李奕晖 |
主权项 |
一种弱光型非晶硅太阳能电池,在玻璃基板上依次层叠前电极层、P型窗口层、缓冲层、本征层、n型掺杂层、背电极层和背漆保护层,其特征在于所述p型窗口层与缓冲层之间沉积有过渡层,该过渡层为微晶相或者微晶相p型掺杂硅碳合金薄膜。 |
地址 |
518029 广东省深圳市福田区深南大道与金田路交界西南路深圳国际交易广场2112-2116室 |