| 发明名称 | 多晶硅生产 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化学气相沉积（CVD）反应器系统，其具有由反应室壁围住的反应室，所述反应室壁的内表面被布置为朝向所述室的内部。至少一部分所述壁为朝向所述室的热控层，并且所述热控层由材料例如电解沉积的镍构成，所述材料在300K下测得的发射系数为0.1以下并且硬度为至少3.5Moh。使用这样的CVD反应器系统从富含硅的气体生产多晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN103098173A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201180035407.2 | 申请日期 | 2011.07.19 |
| 申请人 | 瑞科硅公司 | 发明人 | 科里施纳库马尔·M·嘉亚卡;乌尔班·R·库尔特根 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘慧;杨青 |
| 主权项 | 化学气相沉积反应器系统，其包括具有内表面且限定出反应室的壁，一部分所述壁为朝向所述室的热控层，所述热控层由在300K下测得的发射系数为不超过0.1并且硬度为至少3.5Moh的物质构成。 | ||
| 地址 | 美国华盛顿州 | ||