| 发明名称 | 粉粒产生少的溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种粉粒产生少的溅射靶，其为金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它无延展性的物质以1％～50％的体积比率存在于富有延展性的基质相内的靶，其特征在于在所述溅射靶的表面，中心线平均表面粗糙度Ra为0.1μm以下，十点平均粗糙度Rz为0.4μm以下，局部峰间距离(粗糙度图形)AR为120μm以下，波纹度图形平均长度AW为1500μm以上。本发明提供对无延展性物质大量存在的靶的表面进行改善，并且可以防止或抑制溅射时产生结瘤和粉粒的溅射靶及其表面加工的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101990584B | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN200980112446.0 | 申请日期 | 2009.03.27 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 小出启 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种粉粒产生少的溅射靶，其为无延展性的物质以1％～50％的体积比率存在于富有延展性的基质相内的靶，其特征在于，在所述溅射靶的表面，中心线平均表面粗糙度Ra为0.1μm以下，十点平均粗糙度Rz为0.4μm以下，粗糙度图形的局部峰间距离AR为120μm以下，波纹度图形平均长度AW为1500μm以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||