发明名称 |
PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺 |
摘要 |
一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备,包括沉积腔室,该沉积腔室包括串行式设置的进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室。一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的工艺,采用PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备实施,能在同一腔室中完成对硅片的正、反两面的本征层沉积。本发明PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺既能够省去硅片翻转的工序,节省设备制造成本和生产时间,又能够很好的实现硅片正反两面的沉积。 |
申请公布号 |
CN103094403A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201110335233.3 |
申请日期 |
2011.10.28 |
申请人 |
上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
发明人 |
郭群超;王凌云;柳琴;张愿成;张滢清;李红波 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
杨元焱 |
主权项 |
一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备,包括沉积腔室、气路控制系统、电控系统及真空机组,沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接,电控系统与气路控制系统连接;其特征在于:所述的沉积腔室包括串行式设置的进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室,在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极,在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口,在p型沉积室的上电极上连接有进气口,在n型沉积室的下电极上连接有进气口;还包括硅片承载架,在进片室、预热室、本征层沉积室、p型沉积室、n型沉积室和出片室内分别设有硅片承载架的传送机构。 |
地址 |
200241 上海市闵行区申南路555号 |